این شیشه رسانا با فرمول ساختاری In2O3 · (SnO2)x در موارد مشابهی مانند دیگر شیشه های رسانا از جمله در سلول های خورشیدی، LED ها، صفحات لمسی و تجهیزات الکترونیکی کاربرد داشته و در بررسی های الکتروشیمیایی به عنوان بستری برای انجام واکنش های فوتوکاتالیستی استفاده می شود. این شیشه در مقایسه با FTO دارای پایداری حرارتی و شیمیایی کمتری بوده ولی به دلیل فرمول خاص آن بسیار پر کاربرد بوده و قیمت آن نیز گرانتر از FTO می باشد.

این شیشه عموما در ضخامت های 1.1 میلیمتری و با مقاومت های 8 تا 15 اهم بر مربع تولید شده و موجود می باشد.